使用离散元件的高边MOSFET驱动器的设计，实现24V电压

中文字数:2249,  英文为PDF文件

使用离散元件的高边MOSFET驱动器的设计，实现24V电压
 摘要—本章节讲述一个用于24V电压操作的用离散元件的高边N沟道MOSFET驱动器的设计。特殊电平转换技术用于增加栅极电压使其高于供给电压。各点的驱动电压读数用于参考。用MOSFET IRF730做开关器件，通过观察栅极输入频率从50HZ升至150KHZ过程中，对应高边驱动器的反应来测试所设计出来的高边驱动器。得到的结果说明在宽比高于72%情况下，频率增大至150KHZ的过程中驱动电路工作很好。
 条件指标—自举电路；浮动MOSFET驱动器；H桥逆变器设计；高边MOSFET驱动器；电平转换器。
I.介绍
MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)被连接在负载和供应电压之间，是一个逆变器设计中普遍存在的问题，尤其是在H桥逆变器设计中。当提供的栅极电压在建议的10V至20V之间时，高边MOSFET不能被简单的操作，但是一个适当的途径必须被分配以至于让MOSFET进入它的工作模式。
定制芯片依旧可用，像AN-6076、AN-978和LM5100A可以被用于高边MOSFET。一些设计师由于某些限制在获得集成电路中遇到困难，就像没有现货供应、长交货时间，而且毫无疑问这在任务紧迫的时候是不会被接受的。许多种电路被设计用来适应这种需求。但是大多数的设计需要将驱动程序连接到负载的终端，这种方式将引起不可取的负电压瞬变成负载电压。电路中的自举电容的选取是非常关键的，它高度取决于工作频率。

 WORD格式全文下载链接(充值:19元)

使用离散元件的高边MOSFET驱动器的设计，实现24V电压相关论文